Транзистор КТ645 - универсальный, кремниевый, структуры n-p-n, эпистаксиально-планарный. Основное применение - быстродействующие импульсные устройства, высокочастотные генераторы и усилители. Имеет гибкие выводы и пластмассовый корпус. Масса не более 0.3 г. Тип прибора указывается на этикетке.

Цоколевка транзисторов КТ645

Электрические параметры транзистора КТ645

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером:
КТ645А при Uкб = 2 В, Iэ = 150 мА	20 ÷ 200
КТ645Б при Uкб = 10 В, Iэ = 2 мА, не менее	80

• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с ОЭ при Uкб = 10 В, Iэ = 50 мА, не менее	200 МГц

• Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА, f = 5 МГц, не более	120 пс

• Напряжение насыщения К-Э, не более:
КТ645А при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА	0.5 В
КТ645Б при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА	0.05 В

• Время рассасывания при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА, не более	50 нс

• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, не более	5 пФ

• Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более	50 пФ

• Обратный ток коллектора при Uкб = Uкб макс, не более:
Т = −45...+25°C	10 мкА
Т = +85°C	100 мкА

• Обратный ток эмиттера при Uэб = 4 В, не более	10 мкА

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ645

• Напряжение К-Б (постоянное):
КТ645А	60 В
КТ645Б	40 В

• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ = 1 КОм:
КТ645А	50 В
КТ645Б	40 В

• Напряжение Э-Б (постоянное):	4 В

• Ток коллектора (постоянный)	300 мА

• Ток коллектора (импульсный) при tи = 10 мкс, Q = 5	600 мА

• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
при Т = −45... +25°C	0.5 Вт
при Т = +85°C	0.25 Вт

• Рассеиваемая мощность коллектора (импульсная) при tи = 10 мкс, Q = 5, Т = −45...+55°C	1 Вт

• Температура p-n перехода	+150°C

• Рабочая температура (окружающей среды)	−45...+85°C

Категория: Справочная | Добавил: Alex (04.01.2014)

Просмотров: 2068 | Рейтинг: 0.0/0

Всего комментариев: 0

Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]