Пятница, 29.03.2024, 18:46
Приветствую Вас Гость | RSS
Главная | Каталог статей | Регистрация | Вход
Меню сайта
Реклама Google
Форма входа
Категории раздела
Это нужно знать! [17]
Изучаем AVR [30]
Программаторы [12]
Необходимое ПО [8]
Готовые устройства [73]
Справочная [38]
Инструмент [0]
Технология [8]
Литература [0]
Arduino скетчи [18]
Поиск
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
Микроконтроллеры - это просто!
Главная » Статьи » Справочная

КТ645

Транзистор КТ645: КТ645А, КТ645Б

Транзистор КТ645 - универсальный, кремниевый, структуры n-p-n, эпистаксиально-планарный. Основное применение - быстродействующие импульсные устройства, высокочастотные генераторы и усилители. Имеет гибкие выводы и пластмассовый корпус. Масса не более 0.3 г. Тип прибора указывается на этикетке.

Цоколевка транзисторов КТ645

Транзистор КТ645

 

Электрические параметры транзистора КТ645
 
• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером:
  КТ645А при Uкб = 2 В, Iэ = 150 мА 20 ÷ 200
  КТ645Б при Uкб = 10 В, Iэ = 2 мА, не менее 80
 
• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с ОЭ   
при Uкб = 10 В, Iэ = 50 мА, не менее
200 МГц
 
• Постоянная времени цепи обратной связи 
на высокой частоте при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА, f = 5 МГц, не более
120 пс
 
• Напряжение насыщения К-Э, не более:
  КТ645А при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА 0.5 В
  КТ645Б при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА 0.05 В
 
• Время рассасывания при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА, не более 50 нс
 
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, не более 5 пФ
 
• Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более 50 пФ
 
• Обратный ток коллектора при Uкб = Uкб макс, не более:
  Т = −45...+25°C 10 мкА
  Т = +85°C 100 мкА
 
• Обратный ток эмиттера при Uэб = 4 В, не более 10 мкА
 
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ645
 
• Напряжение К-Б (постоянное):
  КТ645А 60 В
  КТ645Б 40 В
 
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ = 1 КОм:
  КТ645А 50 В
  КТ645Б 40 В
 
• Напряжение Э-Б (постоянное): 4 В
 
• Ток коллектора (постоянный) 300 мА
 
• Ток коллектора (импульсный) при tи = 10 мкс, Q = 5 600 мА
 
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
  при Т = −45... +25°C 0.5 Вт
  при Т = +85°C 0.25 Вт
 
• Рассеиваемая мощность коллектора (импульсная)   
при tи = 10 мкс, Q = 5, Т = −45...+55°C
1 Вт
 
• Температура p-n перехода +150°C
 
• Рабочая температура (окружающей среды) −45...+85°C
Категория: Справочная | Добавил: Alex (04.01.2014)
Просмотров: 1881 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Copyright MyCorp © 2024