Транзистор КТ626: КТ626А, КТ626Б, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д
Транзистор КТ626 - эпитаксиально-планарный, структуры p-n-p, кремниевый. Основное применение - переключающие устройства, усилители и генераторы КВ диапазона. Имеет жёсткие выводы и пластмассовый корпус. Масса - не более 1 г. На корпусе указывается тип прибора.
Цоколевка транзисторов КТ626
Электрические параметры транзистора КТ626
• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером
при Uкэ = 2 В, Iк = 150 мА: |
Т = +25°C: |
КТ626А, КТ626Д |
40 ÷ 250 |
КТ626Б |
30 ÷ 100 |
КТ626В |
15 ÷ 45 |
КТ626Г |
15 ÷ 60 |
Т = +85°C: |
КТ626А, КТ626Д |
40 ÷ 500 |
КТ626Б |
30 ÷ 200 |
КТ626В |
15 ÷ 90 |
КТ626Г |
15 ÷ 120 |
Т = −40°C: |
КТ626А, КТ626Д |
20 ÷ 250 |
КТ626Б |
15 ÷ 100 |
КТ626В |
8 ÷ 45 |
КТ626Г |
8 ÷ 60 |
|
• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с ОЭ
при Uкэ = 10 В, Iэ = 30 мА, не менее: |
КТ626А, КТ626Б |
75 МГц |
КТ626В, КТ626Г, КТ626Д |
45 МГц |
|
• Напряжение насыщения К-Э
КТ626А, КТ626Б при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА и
КТ626В, КТ626Г, КТ626Д при Iк = 500 мА, Iб = 100 мА, не более |
1 В |
|
• Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
при Uкб = 10 В, Iэ = 30 мА, f = 5 МГц, не более |
500 пс |
|
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб о = 10 В, не более |
150 пФ |
|
• Обратный ток коллектора не более: |
КТ626А: |
при Uкб о = 30 В |
10 мкА |
при Uкб о = 45 В |
1 мА |
КТ626Б, КТ626В при Uкб о = 30 В и
КТ626Г, КТ626Д при Uкб о = 20 В: |
150 мкА |
КТ626Б при Uкб о = 60 В и КТ626В при Uкб о = 80 В: |
1 мА |
|
• Обратный ток эмиттера при Uэб о = 4 В, не более: |
КТ626А |
10 мкА |
КТ626Б, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д |
300 мкА |
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ626
• Напряжение К-Б (постоянное): |
КТ626А |
45 В |
КТ626Б |
60 В |
КТ626В |
80 В |
КТ626Г, КТ626Д |
20 В |
|
• Ток коллектора (постоянный) |
500 мА |
|
• Ток коллектора (импульсный) |
1.5 А |
|
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная): |
при Тк ≤ +60°C |
6.5 Вт |
при Тк = +85°C |
4 Вт |
|
• Тепловое сопротивление переход - корпус |
10°C/Вт |
|
• Температура p-n перехода |
+125°C |
|
• Рабочая температура (окружающей среды) |
−40...+85°C |
|