|
Транзистор КТ117: КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г
Транзистор КТ117 - эпитаксиально-планарный, однопереходный, кремниевый, с базой n-типа. Применяется в маломощных генераторах. Имеет металлический корпус. Выводы - гибкие. Надпись о типе элемента нанесена на корпусе. Весит не более 0.45 г.
КТ117 цоколевка
Цоколевка КТ117 показана на рисунке.
Электрические параметры транзистора КТ117
| • Коэффициент передачи тока. (Режим малого сигнала.) UБ1Б2 = 10В: |
| T = +25°C: |
| КТ117А, КТ117В, 2Т117А, 2Т117В |
0.5 ÷ 0.7 |
| 2Т117Б, 2Т117Г |
0.65 ÷ 0.85 |
| КТ117Б, КТ117Г |
0.65 ÷ 0.9 |
| T = +70°C: |
| КТ117А, КТ117В, 2Т117А, 2Т117В |
0.45 ÷ 0.7 |
| 2Т117Б |
0.6 ÷ 0.85 |
| 2Т117Г |
0.6 ÷ 0.8 |
| КТ117Б, КТ117Г |
0.6 ÷ 0.9 |
| T = −60°C: |
| КТ117А, КТ117В, 2Т117А, 2Т117В |
0.5 ÷ 0.8 |
| 2Т117Б, 2Т117Г |
0.65 ÷ 0.9 |
| КТ117Б, КТ117Г |
0.65 ÷ 0.95 |
| • Частота генерации (максимальная) |
200 КГц |
| • Время включения UБ1Б2 = 10 В, Iэ = 50 мА, не более: |
| T = +25°C |
3 мкс |
| T = −60...+125°C |
5 мкс |
| • Напряжение Э-Б (остаточное), не более: |
| T = −60...+25°C |
5 В |
| при Tэ = 10 мА, Т = +70°C для 2Т117(А-Г) |
4 В |
| при Tэ = 50 мА, Т = +70°C для КТ117(А-Г) |
4 В |
| • Ток включения эмиттера при UБ1Б2 = 10 В, не более |
20 мкА |
| • Ток выключения эмиттера при UБ1Б2 = 20 В, не менее |
1 мА |
| • Ток модуляции, не менее: |
10 мА |
| • Обратный ток эмиттера при UБ1Б2 = 30 В, не более: |
| T = +25°C |
1 мкА |
| T = +125°C |
10 мкА |
| • Межбазовое сопротивление: |
| при T = +25°C: |
| 2Т117А, 2Т117Б |
4 ÷ 7.5 КОм |
| 2Т117В, 2Т117Г |
6 ÷ 9 КОм |
| КТ117А, КТ117Б |
4 ÷ 9 КОм |
| КТ117В, КТ117Г |
8 ÷ 12 КОм |
| при T = +70°C: |
| 2Т117В, 2Т117Г |
6 ÷ 15 КОм |
| КТ117В, КТ117Г |
6 ÷ 18 КОм |
| при T = −60°C: |
| 2Т117В, 2Т117Г |
3 ÷ 8.5 КОм |
| КТ117В, КТ117Г |
4 ÷ 12 КОм
|
Предельные эксплуатационные характеристики транзистора КТ117
| • Межбазовое напряжение (постоянное) |
30 В |
| • Напряжение Б-Э |
30 В |
| • Ток Э (постоянный) |
50 мА |
| • Ток Э (импульсный) при tи ≤ 10 мкс, Q ≥ 200 |
1 А |
| • Рассеиваемая мощность Э (постоянная): |
| при Т = −60...+35°C |
300 мВт |
| при Т = +125°C |
15 мВт |
| • Температура p-n перехода |
130°C |
| • Рабочая температура (окружающей среды) |
−60°...+125°C |
|
